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前道晶圓制造
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聚芯6200
MatrixSemi 6200
無圖案晶圓缺陷檢測第三代半導(dǎo)體化合物襯底/外延片檢測

Provide optimal industrial AI solutions

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針對SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料的襯底和外延片缺陷而設(shè)計(jì)研發(fā)的檢測設(shè)備

滿足半導(dǎo)體襯底及外延片缺陷檢測需求,兼容多種襯底材料:Si、SiC 、GaN 、 Al?O? 、ZnO、GaAs、InP等

能夠?qū)θ?、坑點(diǎn)、微管、胡蘿卜、堆垛層錯(cuò)、基面錯(cuò)位、臺階聚集等缺陷進(jìn)行檢測和分類

能夠?qū)︻w粒、凹坑、凸起、劃傷、污點(diǎn)、裂紋、PL黑點(diǎn)、PL劃痕、PL晶界等缺陷進(jìn)行檢測和分類

支持2吋、4吋、6吋、8吋晶圓檢測,高產(chǎn)能、高靈敏度

應(yīng)用工藝
· 入場晶圓質(zhì)量控制(IQC)
· 晶圓清洗工藝控制
· 出廠晶圓質(zhì)量控制(OQC)
· 外延工藝控制
· CMP(化學(xué)機(jī)械拋光工藝)/拋光工藝控制
產(chǎn)品規(guī)格
檢測能力*
支持產(chǎn)品 2吋、 4吋 、6吋、8吋晶圓襯底及外延片;
產(chǎn)品厚度 350um-1500um
檢測技術(shù) 多通道檢測技術(shù),包含:明場/暗場結(jié)合、差分干涉檢測、相位檢測、光致發(fā)光檢測
產(chǎn)率 25WPH@6";>50WPH@4"
檢測功能*
主要檢測SiC/GaN 等化合物半導(dǎo)體襯底及外延片的表面及內(nèi)部缺陷
缺陷類型 微管、堆垛層錯(cuò)、基面錯(cuò)位、三角、坑點(diǎn)、胡蘿卜
臺階聚集
顆粒、凹坑、凸起、劃傷、污點(diǎn)、裂紋、PL 黑點(diǎn)、PL 劃痕
PL晶界等缺陷

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