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聚芯6200

MatrixSemi 6200
無(wú)圖案晶圓缺陷檢測(cè)第三代半導(dǎo)體化合物襯底/外延片檢測(cè)

Provide optimal industrial AI solutions

針對(duì)SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料的襯底和外延片缺陷而設(shè)計(jì)研發(fā)的檢測(cè)設(shè)備

滿足半導(dǎo)體襯底及外延片缺陷檢測(cè)需求，兼容多種襯底材料：Si、SiC 、GaN 、 Al?O? 、ZnO、GaAs、InP等

能夠?qū)θ?、坑點(diǎn)、微管、胡蘿卜、堆垛層錯(cuò)、基面錯(cuò)位、臺(tái)階聚集等缺陷進(jìn)行檢測(cè)和分類

能夠?qū)︻w粒、凹坑、凸起、劃傷、污點(diǎn)、裂紋、PL黑點(diǎn)、PL劃痕、PL晶界等缺陷進(jìn)行檢測(cè)和分類

支持2吋、4吋、6吋、8吋晶圓檢測(cè)，高產(chǎn)能、高靈敏度

應(yīng)用工藝

· 入場(chǎng)晶圓質(zhì)量控制（IQC）

· 晶圓清洗工藝控制

· 出廠晶圓質(zhì)量控制（OQC）

· 外延工藝控制

· CMP（化學(xué)機(jī)械拋光工藝）/拋光工藝控制

產(chǎn)品規(guī)格

檢測(cè)能力*
支持產(chǎn)品	2吋、 4吋、6吋、8吋晶圓襯底及外延片;
產(chǎn)品厚度	350um-1500um
檢測(cè)技術(shù)	多通道檢測(cè)技術(shù)，包含：明場(chǎng)/暗場(chǎng)結(jié)合、差分干涉檢測(cè)、相位檢測(cè)、光致發(fā)光檢測(cè)
產(chǎn)率	25WPH@6"；>50WPH@4"
檢測(cè)功能*
主要檢測(cè)SiC/GaN 等化合物半導(dǎo)體襯底及外延片的表面及內(nèi)部缺陷
缺陷類型	微管、堆垛層錯(cuò)、基面錯(cuò)位、三角、坑點(diǎn)、胡蘿卜臺(tái)階聚集顆粒、凹坑、凸起、劃傷、污點(diǎn)、裂紋、PL 黑點(diǎn)、PL 劃痕 PL晶界等缺陷